AM7530C-VB一种Dual-N+P沟道DFN8(5X6)-B封装MOS管
2024-11-29
### 产品简介
AM7530C-VB是一款高性能的双N+P-Channel MOSFET，采用DFN8(5X6)-B封装。该器件结合了N-Channel和P-Channel MOSFET的优势，具有低导通电阻和良好的电流承载能力，适合要求高效能和双极性驱动的电源管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**: DFN8(5X6)-B
- **配置**: 双N+P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: ±30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.6V (N-Channel), -1.7V (P-Channel)
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N-Channel:
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- 22mΩ @ VGS = 10V
- P-Channel:
- 37mΩ @ VGS = 4.5V
- 31mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: ±8A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
AM7530C-VB适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**: 双N+P-Channel配置使得AM7530C-VB在电源开关和电池管理系统中具有灵活性和高效能。它可以用于笔记本电脑、平板电脑等便携设备中，以提升电池寿命和系统效率。
2. **电动工具**: 在需要双极性驱动和高电流处理的电动工具中，如电动锤、电动钻等，该MOSFET能够提供可靠的电源开关和驱动控制，确保设备的高效运行和长时间使用。
3. **电动车充电管理**: AM7530C-VB适用于电动车的充电管理系统，能够处理双极性电压并保持高效的充电效率，确保电池组的安全和稳定性。
4. **工业控制**: 在工业自动化和机器人控制系统中，该MOSFET可用于电机驱动、电源开关和逆变器模块，提升设备的功率密度和响应速度。
通过以上应用示例，AM7530C-VB展示了其在多种双极性驱动、高电流电源管理和开关控制应用中的广泛适用性和优越性能。
