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B140NF75-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
### 产品简介
B140NF75-VB 是一款高性能单极 N 通道 MOSFET，封装为 TO263。它采用 Trench 技术，具有 80V 的漏极源极电压（VDS）和 120A 的连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDS(ON)）在 VGS 为 4.5V 时为 10mΩ，在 VGS 为 10V 时为 6mΩ，提供极低的开关损耗和高效能。该 MOSFET 的阈值电压（Vth）为 3V，VGS 范围为 ±20V，确保其在各种电压条件下的稳定运行。
### 详细参数说明
- **型号**: B140NF75-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单极 N 通道
- **漏极源极电压 (VDS)**: 80V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 10mΩ @ VGS = 4.5V
- 6mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块示例
B140NF75-VB 适用于以下领域和模块：
1. **高功率电源管理**: 在高功率电源转换器和电源模块中使用，以提供低导通阻抗和高电流承载能力。
2. **电动汽车**: 适用于电动汽车的电动机控制系统，作为高电流开关控制电动机的操作。
3. **电源保护电路**: 在电源保护电路中应用，快速断开过载电流，提供可靠的保护功能。
4. **DC-DC 转换器**: 用于 DC-DC 转换器中，以高效的开关性能提升整体转换效率。
