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BSP89-VB一种Single-N沟道SOT223封装MOS管
2025-01-09
**产品简介：**
BSP89-VB 是一款 N-Channel MOSFET，封装为 SOT223，设计用于中高电压应用。该 MOSFET 的 VDS（漏极-源极最大电压）为 250V，最大栅源极电压 VGS 为 ±20V，漏极电流 ID 达到 0.79A。其导通电阻 RDS(ON) 为 2000mΩ（在 VGS=10V 时），采用沟槽型工艺技术，适合用于需要高电压和中等电流的开关应用。
**详细参数说明：**
- **封装**: SOT223
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**: 250V
- **栅源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 2000mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 0.79A
- **技术**: 沟槽型工艺
**应用领域和模块示例：**
1. **高电压开关**：在需要处理高电压的开关电路中，BSP89-VB 能够可靠地开关高达 250V 的电压，适用于高电压电源管理和控制系统。
2. **电子设备保护**：在电子设备的过压保护电路中，该 MOSFET 能够承受较高的电压，防止过压对设备造成损害。
3. **小型电源开关**：在要求中等电流的电源开关应用中，BSP89-VB 的适中电流能力和高电压耐受性使其成为理想选择，如小型电源模块和开关控制电路。
