BUK555-50B-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-15
### 一、BUK555-50B-VB 产品简介
BUK555-50B-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能单 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO-220。这款 MOSFET 采用先进的 Trench 技术，具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格，提供了极低的导通电阻。具体而言，在 4.5V 的栅源电压下，其导通电阻为 28mΩ，在 10V 的栅源电压下降至 24mΩ。该 MOSFET 支持最大 50A 的连续漏极电流 (ID)，设计用于高效开关和电源管理应用，能够满足高电流和低导通损耗的需求。
### 二、BUK555-50B-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | BUK555-50B-VB | |
| 封装 | TO-220 | |
| 配置 | 单 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 60 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.7 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 28 (VGS = 4.5V) | mΩ |
| | 24 (VGS = 10V) | mΩ |
| 栅极电流 (IG) | 100 | nA |
| 连续漏极电流 (ID) | 50 | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 150 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 125 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 技术 | Trench | |
### 三、应用领域和模块示例
BUK555-50B-VB MOSFET 的高电流承载能力和低导通电阻使其在多个领域具有广泛的应用，以下是几个应用示例：
1. **电源管理**：该 MOSFET 可用于开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的开关环节，因其低导通电阻和高电流能力，可以有效减少电能损耗，提高转换效率。
2. **电动机控制**：在电动汽车、家用电器及工业设备中的电动机驱动系统中，BUK555-50B-VB 能够作为高电流开关，提供高效且可靠的电机控制。
3. **电池保护电路**：在电池管理系统 (BMS) 中，BUK555-50B-VB 可用于过流保护和电池开关控制，确保系统的安全性和稳定性。
4. **汽车电子**：该 MOSFET 在汽车电子设备中如电动助力转向系统和车载充电器中可以用来处理高电流负载，提供稳定的电力供应。
这些应用示例展示了 BUK555-50B-VB 在需要高电流和低导通电阻的场景中的重要作用。
