AO5804E-VB一种Dual-N+N沟道SC75-6封装MOS管
2024-12-03
### AO5804E-VB 产品简介
AO5804E-VB是一款高性能的双通道N+N-Channel MOSFET，采用SC75-6封装。尽管其电流承载能力较小，但适用于对空间要求较为严格的应用场合，能够提供可靠的电源管理和功率转换解决方案。
### AO5804E-VB 详细参数说明
- **封装类型**：SC75-6
- **配置**：Dual N+N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：20V
- **栅源电压 (VGS)**：20V（±）
- **阈值电压 (Vth)**：0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 350mΩ @ VGS = 2.5V
- 300mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**：0.6A
- **技术类型**：Trench
### 应用领域和模块
AO5804E-VB适用于一些对空间要求较为严格且电流要求不高的应用领域，具体包括但不限于以下几个方面：
1. **移动设备**：在手机、平板电脑和便携式电子设备中，AO5804E-VB可以用于电池管理系统、充电控制和功率开关，确保设备的高效能和稳定性。
2. **消费电子**：在各类消费电子产品中，如数字相机、便携式游戏机等，该MOSFET可以用于电源管理和电路保护，提供可靠的电力转换和控制功能。
3. **医疗设备**：在便携式医疗设备和健康监测器材中，AO5804E-VB能够用于电池供电管理、传感器控制和数据采集模块，确保设备的安全性和稳定性。
4. **工业传感器**：在需要小型化和低功耗的工业传感器和控制模块中，该产品可以用于电源管理和信号处理电路，提供高效的能源利用和稳定的工作环境。
虽然AO5804E-VB的电流承载能力较小，但其小尺寸和低导通电阻特性使其在对空间和功率要求较为苛刻的应用中具有独特的优势。
