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B15S65-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
### 产品简介
**B15S65-VB** 是一款单极N沟道MOSFET，封装形式为TO263。采用SJ_Multi-EPI技术，具有高耐压和适中的导通电阻。此MOSFET特别适合用于高电压应用中，如电力转换和开关电源，能在高电压环境下提供可靠的性能和稳定性。
### 参数说明
- **型号**：B15S65-VB
- **封装**：TO263
- **配置**：单极N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：650V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：300mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**：15A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块
**B15S65-VB** MOSFET 在以下领域和模块中表现优异：
1. **高压开关电源**：其高耐压能力使其适合用于高压开关电源中，能够处理高电压负载，并提供稳定可靠的开关性能。
2. **逆变器**：适用于逆变器应用，能够在高电压条件下稳定工作，确保电力转换的高效性和可靠性。
3. **工业电源管理**：在工业电源管理系统中，B15S65-VB 可用于高电压负载开关和电源调节，提升系统的整体性能和稳定性.
4. **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中，此MOSFET 能承受高电压并提供高效能，适合用于太阳能发电系统中的电源转换和管理。
5. **高电压电机驱动**：适合用于高电压电机驱动系统中，能提供稳定的开关操作并确保电机的高效运行。
