AP90T03GR-VB一种Single-N沟道TO262封装MOS管
2024-12-20
### 一、产品简介
**AP90T03GR-VB** 是一款单N-Channel MOSFET，采用TO262封装。该器件具有较低的导通电阻和高达90A的漏极电流承载能力，适用于需要高效能和高功率密度的应用场景，如电源管理和电机控制等。
### 二、详细参数说明
1. **封装形式**：TO262
2. **配置**：Single-N-Channel
3. **击穿电压（VDS）**：30V
4. **栅极电压（VGS）**：20V（±V）
5. **阈值电压（Vth）**：1.7V
6. **导通电阻（RDS(ON)）**：
- @VGS = 4.5V：7mΩ
- @VGS = 10V：4mΩ
7. **漏极电流（ID）**：90A
8. **技术**：Trench
### 三、应用领域和模块示例
**AP90T03GR-VB** 适用于多种高功率应用领域和模块：
1. **电源管理（Power Management）**：
- 在开关电源和DC-DC转换器中，作为高效能开关器件，有助于提高电源转换效率，适用于服务器、数据中心和电信设备的电源管理。
2. **电机驱动（Motor Drives）**：
- 用于电动工具、电动车和工业电机驱动，提供高电流和低损耗的开关能力，确保电机的高效能运行和稳定性。
3. **不间断电源（UPS）**：
- 作为UPS系统中的关键功率器件，确保在电源中断时提供稳定的电力支持，适用于数据中心、医院和工业控制系统。
4. **汽车电子（Automotive Electronics）**：
- 应用于汽车电子控制单元（ECU）、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS），提高汽车电子系统的可靠性和效率。
5. **可再生能源系统（Renewable Energy Systems）**：
- 在太阳能逆变器和风能转换器中，作为关键功率开关器件，提高能源转换效率和系统稳定性。
**AP90T03GR-VB** 的低导通电阻和高电流能力使其成为高效能、高功率应用中的理想选择。其在电源管理、电机驱动和汽车电子等领域中的应用，有助于提高系统的整体性能和可靠性。
