AO4202-VB一种Single-N沟道SOP8封装MOS管
2024-12-02
### 产品简介
AO4202-VB 是一款低压单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具有极低的导通电阻和高电流承载能力。该器件封装在SOP8封装中，适合需要高效能和空间紧凑的电子应用。AO4202-VB 在30V的漏极-源极电压（VDS）下工作稳定，是处理高功率要求的理想选择。
### 详细参数说明
- **型号**: AO4202-VB
- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 4mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术类型**: 沟槽
### 应用领域和模块举例
AO4202-VB MOSFET适用于多种高功率和高效能的电子应用，具体包括但不限于：
1. **电源转换器和逆变器**：在高功率DC-DC转换器、逆变器和开关电源中，AO4202-VB可用于输出稳定器和功率放大器，提供高效的能量转换和电源管理。
2. **电动工具和汽车电子**：在电动工具（如电动钻、电动锯）、工业自动化设备和汽车电动系统中的电机驱动、电池管理和电源逆变等高功率需求场合。
3. **工业控制和电力电子**：用于工业控制系统中的电机控制、高功率负载开关和电源管理模块，以及电力电子设备中的逆变器和电动机驱动。
4. **航空航天和国防领域**：在航空航天系统和军事应用中，AO4202-VB可用于高功率电源管理、航空电动机驱动和高频开关应用。
通过以上举例，AO4202-VB MOSFET因其极低的导通电阻、高电流承载能力和先进的沟槽技术，在多种对高功率密度、高效率和可靠性要求高的电子设备和系统中具有广泛的应用潜力。
