BSP319-VB一种Single-N沟道SOT223封装MOS管
2025-01-09
### 产品简介
**BSP319-VB** 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装类型为 SOT223。该 MOSFET 采用 Trench 技术，专为中等电压和高效能应用设计。它的最大漏源极电压（VDS）为 60V，适用于中等电压环境。最大门源极电压（VGS）为 ±20V，提供广泛的驱动能力。BSP319-VB 的导通电阻（RDS(ON)）在 VGS 为 4.5V 时为 33mΩ，在 VGS 为 10V 时为 28mΩ，具有较低的功耗和较高的电流处理能力。其最大漏极电流（ID）为 7A，适合处理中等电流负载。
### 详细参数说明
- **型号**: BSP319-VB
- **封装**: SOT223
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **门源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 33mΩ @ VGS = 4.5V
- 28mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 7A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理**:
BSP319-VB 在电源管理模块中表现出色，特别是在需要中等电压和电流开关的应用中，如 DC-DC 转换器和电源分配系统。其低导通电阻可以有效减少功耗，提高系统的整体效率。
2. **负载开关**:
该 MOSFET 适用于各种负载开关应用，包括电池供电的设备和电源切换模块。其高电流承载能力和低导通电阻使其能够处理较大的负载电流，确保系统稳定运行。
3. **电机控制**:
在电机控制应用中，BSP319-VB 可以用于直流电机的开关控制，提供可靠的电流控制和开关性能。其中等电流处理能力适合用于电机驱动系统的中等电流负载。
4. **汽车电子**:
在汽车电子系统中，如电池管理系统和车载电源控制，BSP319-VB 能够高效地处理电流开关需求。其中等电压和高电流能力使其适合用于汽车电源管理和开关控制。
这款 MOSFET 的中等电压处理能力和高效能使其在电源管理、负载开关和电机控制等应用中表现优异，提供了稳定和高效的开关解决方案。
