B482L-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-07
### B482L-VB MOSFET 产品简介
B482L-VB 是一款高性能单N通道MOSFET，封装在TO-263外壳中。该MOSFET设计用于要求高功率处理和高效开关的应用场合。其最大漏极-源极电压（VDS）为80V，栅极-源极电压（VGS）容差为±20V，提供了广泛的适应性。器件具有较高的阈值电压（Vth），为3V，但仍能确保在低电压栅极信号下可靠驱动。B482L-VB的导通电阻（RDS(ON)）非常低，在VGS = 4.5V时为10mΩ，在VGS = 10V时为6mΩ，适用于需要大电流处理的应用，其连续漏极电流（ID）可达到120A。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提高了其性能，特别是在低导通电阻和高效率方面。
### B482L-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型:** TO-263
- **配置:** 单N通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 80V
- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 3V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- VGS = 4.5V 时为 10mΩ
- VGS = 10V 时为 6mΩ
- **连续漏极电流 (ID):** 120A
- **技术:** 沟槽技术
### B482L-VB MOSFET 的应用领域
B482L-VB MOSFET 的高性能特性使其适用于多种高要求的应用。例如，在电动汽车行业中，这款MOSFET可以用作动力传动系统中的开关元件，处理高电流且保持高效能。在消费电子产品中，B482L-VB适合用于高功率电源模块，如高端计算机电源供应器中，以降低功耗并提升电源转换效率。此外，它还可以用于工业设备的电机控制和电源管理系统中，因其高电流处理能力和低导通电阻确保了系统的稳定运行。最后，该MOSFET也适用于可再生能源系统，比如太阳能逆变器，通过提高系统的效率和降低能量损失来优化能源利用。
