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BSL214N-VB一种SOT23-6封装Dual-N+N-Channel场效应管
2025-01-09
### 产品简介
BSL214N-VB 是一款双 N-Channel MOSFET，封装为 SOT23-6。它具有较低的导通电阻和宽广的门槛电压范围，适合用于需要双 MOSFET 配置的应用，如电源管理和开关电路。
### 详细参数说明
- **型号**: BSL214N-VB
- **封装**: SOT23-6
- **类型**: 双 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **门槛电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 28 mΩ @ VGS = 2.5V
- 22 mΩ @ VGS = 4.5V
- **连续漏电流 (ID)**: 6A
- **技术**: 沟槽型
### 适用领域和模块
BSL214N-VB 适用于：
1. **电源管理**：双 MOSFET 设计适合于电源开关和电源管理模块，提供高效的电流控制。
2. **开关电路**：适用于高频开关电路和信号开关，能够处理中等电流。
3. **驱动电路**：在需要双 MOSFET 的驱动电路中，能够支持较高的电流负载和低功耗应用。
