B16PF06L-VB一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
**产品简介：**
B16PF06L-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET，封装为 TO263，设计用于中高电压和电流应用。该 MOSFET 提供 60V 的漏源电压（VDS）和 50A 的最大漏极电流（ID），在 VGS 为 4.5V 和 10V 时，其导通电阻（RDS(on)）分别为 35mΩ 和 32mΩ。采用 Trench 技术，B16PF06L-VB 具有较低的导通阻抗和良好的开关特性，适合于高效能和低功耗的电子设备。
**详细参数说明：**
- **型号**: B16PF06L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单管 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 35mΩ（VGS=4.5V 时）
- 32mΩ（VGS=10V 时）
- **最大漏极电流 (ID)**: 50A
- **技术**: Trench
**应用领域和模块示例：**
1. **电源管理系统 (Power Management Systems)**: 由于其较低的导通电阻，B16PF06L-VB 适用于电源管理系统，帮助提高系统效率和减少功率损耗。
2. **电动汽车 (Electric Vehicles)**: 在电动汽车中，这款 MOSFET 适用于电池管理和电动控制模块，提供稳定的电流处理能力和高效能。
3. **工业电机驱动 (Industrial Motor Drives)**: 适合用于工业电机驱动系统，能够处理高电流并提供可靠的开关控制，提升系统的整体性能。
4. **高效开关电源 (Efficient Switching Power Supplies)**: B16PF06L-VB 在高效开关电源中表现优异，低导通电阻有助于提升转换效率，并减少热量产生。
