公司动态详情返回动态列表>
BSO065N03MS G-VB一种SOP8封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-09
### 产品简介
**BSO065N03MS G-VB** 是一款单极性N沟道功率MOSFET，封装为SOP8。该MOSFET具有30V的漏源电压（VDS），并支持最大±20V的栅极源电压（VGS）。其阈值电压（Vth）为1.7V，导通电阻为5mΩ（VGS=4.5V）和4mΩ（VGS=10V），最大漏电流为18A。MOSFET采用沟槽技术，适合用于高电流和高效率的电源和负载开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSO065N03MS G-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单极性N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 4mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 18A
- **技术**: 沟槽技术
### 适用领域和模块
**BSO065N03MS G-VB** 功率MOSFET 主要应用于以下领域和模块：
1. **高效电源管理**：在高电流电源转换器和DC-DC转换器中用作开关元件，适合处理较高电流负载，提供高效的电源转换和管理。
2. **电动机驱动**：用于电动机驱动系统中，能够处理较高电流负载，适合工业电机和电动车应用，提供高效的电流控制。
3. **电池管理系统**：在电池保护和管理系统中用于高电流开关，确保系统的稳定性和安全性，适合大电流应用场景。
4. **功率转换设备**：在各种功率转换模块中，如逆变器和功率调节器，实现高效的功率转换和降低能量损耗。
