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FDG6332C-VB一款N+P沟道SC70-6封装MOSFET应用分析
2024-01-05
FDG6332C (VBK5213N)参数说明：N+P沟道，±20V，2.5/-1.5A，导通电阻130/230mΩ@4.5V，160/280mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围±0.6~2V，封装：SC70-6。
应用简介：FDG6332C适用于双极性驱动的应用，如电机控制和H桥驱动器等。
同时具备N沟道和P沟道，适合电流流向不同的场景。
优势与适用领域：具有双极性驱动能力，适用于电机控制、H桥驱动器和双极性信号开关等领域模块。
