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SI2323DS-T1-GE3-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
2024-01-09
型号：SI2323DS-T1-GE3
丝印：VB2355
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：P沟道MOSFET
- 最大耐压：-30V
- 最大电流：-5.6A
- 导通电阻：47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：-1Vth
- 封装：SOT23
应用简介：
SI2323DS-T1-GE3 是一款 P 沟道 MOSFET，适用于负电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V，最大电流为-5.6A，具有低导通电阻和高性能。
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。
2. 转换器模块：可用于负责负电压转换和逆变的转换器模块。
3. 便携式设备：适用于便携式电子设备中的负载开关和电源控制。
总之，SI2323DS-T1-GE3 适用于负电压控制和负载开关的应用领域的模块设计，主要用于电源管理、转换器模块和便携式设备等领域。
