BUK543-50B-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-14
### 产品简介
BUK543-50B-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220封装。其主要特点包括高电流处理能力和低导通电阻，使其在高效开关应用中表现优异。该MOSFET采用先进的Trench技术，能够在较低的栅极电压下实现较低的导通电阻，从而降低功率损耗，提高系统效率。
### 详细参数说明
1. **封装类型**: TO220
2. **配置**: 单N沟道
3. **漏源电压 (VDS)**: 60V
4. **栅源电压 (VGS)**: ±20V
5. **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- 24mΩ @ VGS = 10V
7. **漏极电流 (ID)**: 50A
8. **技术**: Trench
### 应用领域和模块
BUK543-50B-VB MOSFET在多个领域和模块中都有广泛的应用，以下是几个典型的应用实例：
1. **电源管理模块**: 在DC-DC转换器和电源开关模块中，该MOSFET因其低导通电阻和高电流处理能力，被广泛用于提高转换效率和降低功耗。尤其是在需要高电流处理的服务器电源和电动汽车充电器中表现优异。
2. **电机控制**: 在工业和消费级的电机驱动器中，该MOSFET可用作主开关器件，控制电机的启动和停止。其高电流能力和低导通电阻使其能够高效地控制大功率电机，广泛应用于电动工具和家电中。
3. **负载开关**: 在电子负载开关应用中，该MOSFET由于其低导通电阻和高可靠性，被用于控制大功率负载的开关，如LED照明系统和加热设备。
4. **汽车电子**: 在汽车电子系统中，如电池管理系统和车载充电器，该MOSFET的耐高压特性和高电流处理能力，使其能够有效地管理电池组的充放电以及电动汽车的充电过程，提高整个系统的效率和可靠性。
BUK543-50B-VB MOSFET凭借其出色的性能和可靠性，在上述各个领域中为各种应用提供了高效、稳定的解决方案。
