公司动态详情返回动态列表>
BSC030N03MS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC030N03MS G-VB** 是一款高性能单 N-Channel MOSFET，封装形式为 DFN8(5x6)。此 MOSFET 采用 Trench 技术，具备极低的导通电阻和较高的漏电流能力，适用于高效开关和电源管理应用。其优异的开关性能使其在各种电子设备中表现出色。
### 详细参数说明
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**: 30V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 9mΩ @ V_GS = 4.5V
- 7mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 80A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
1. **开关电源**: BSC030N03MS G-VB 适用于高效开关电源，如 DC-DC 转换器，通过其低导通电阻提高效率，降低功耗。
2. **电机控制**: 在电机驱动电路中使用，可以稳定地处理较高电流负载，适用于电动工具和家电中的电机控制模块。
3. **功率管理**: 在电源管理系统中，能够提供高效的电流开关，适用于电池管理、功率分配和调节模块。
4. **消费电子**: 用于计算机、通信设备和其他消费电子产品中，作为高效功率开关，帮助降低功耗并提升系统可靠性。
