公司动态详情返回动态列表>
BSC042N03LS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BSC042N03LS G-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装类型为 DFN8 (5x6)。该 MOSFET 设计用于低电压、高电流应用，具备 30V 的漏极-源极耐压、20V 的栅极-源极耐压、以及 1.7V 的栅极阈值电压。其导通电阻为 2.5mΩ（4.5V 栅极驱动电压下）和 1.8mΩ（10V 栅极驱动电压下），并支持高达 160A 的漏极电流。采用 Trench 技术制造，确保了卓越的开关性能和高效能。
### 参数说明
- **型号**: BSC042N03LS G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单通道 N 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 160A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域
BSC042N03LS G-VB 适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 在高效 DC-DC 转换器中作为开关元件，提供低损耗的电流控制。
- **电动汽车**: 在电动汽车动力系统中用作高电流开关，优化电池和电机的能量转换。
- **数据中心和服务器**: 用于高功率电源模块中，支持稳定的电源分配和热管理。
- **工业控制**: 在高负载电源系统中提供可靠的开关功能，确保设备长期稳定运行。
