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BSC900N20NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC900N20NS3 G-VB** 是一款高性能单 N-Channel MOSFET，封装形式为 DFN8(5x6)。该 MOSFET 采用 Trench 技术，具备高耐压和稳定的电流承载能力，适合用于高电压、高功率的开关和电源管理应用。
### 详细参数说明
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**: 200V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 3V
- **导通电阻 (R_DS(on))**: 38mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 30A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
1. **高电压开关电源**: BSC900N20NS3 G-VB 适用于高电压开关电源应用，能够处理高达 200V 的电压，保证电源系统的稳定和高效。
2. **功率管理**: 在高功率电源管理系统中使用，能够有效控制和调节高电压电源，适用于电池管理和电源分配模块。
3. **电机控制**: 适合高电压电机驱动系统，提供稳定的电流控制和高效开关功能，确保电机在高压环境下稳定运行。
4. **工业设备**: 在工业设备中作为高电压开关使用，适用于需要高耐压、高功率处理的场景，如工业电源和高功率负载控制。
