AP50T10AGI-HF-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2024-12-17
### 一、产品简介
**AP50T10AGI-HF-VB** 是一款高性能的单极性（N-Channel）MOSFET，采用TO220F封装。它采用先进的沟槽（Trench）技术，具有低导通电阻和高电压承受能力，适用于高功率和高压应用。
### 二、详细参数说明
1. **封装形式**：TO220F
2. **配置**：Single-N-Channel
3. **击穿电压（VDS）**：100V
4. **栅极电压（VGS）**：±20V
5. **阈值电压（Vth）**：1.8V
6. **导通电阻（RDS(ON)）**：
- @VGS = 10V：34mΩ
7. **漏极电流（ID）**：50A
8. **技术**：Trench
### 三、应用领域和模块示例
**AP50T10AGI-HF-VB** MOSFET 由于其高电压承受能力和高电流特性，适用于以下领域和模块：
1. **电源逆变器（Power Inverters）**：
- 在工业和太阳能逆变器中，作为高效的功率开关元件，用于实现直流到交流的转换。
2. **电动汽车充电桩（Electric Vehicle Charging Stations）**：
- 用于电动汽车充电桩中的电池充电和放电控制模块，支持高电压和高功率的能源转换。
3. **高压电源模块（High Voltage Power Modules）**：
- 在工业设备和电力系统中，用作高压电源模块的关键组件，确保电路的稳定性和可靠性。
4. **电动工具（Power Tools）**：
- 在高性能电动工具中，作为电机驱动器的关键部件，支持高电流和频率的电机控制。
5. **电力电子设备（Power Electronics Devices）**：
- 在各种需要高功率密度和高效能的电力电子设备中，如变频器和电力供应器，用于功率开关和电流控制。
**AP50T10AGI-HF-VB** MOSFET 的设计使其特别适合于需要处理高电压和高电流的应用，为工程师提供了可靠且高性能的解决方案。
