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AP01L60AT-VB一种Single-N沟道TO92封装MOS管
2024-12-09
### AP01L60AT-VB 产品简介
AP01L60AT-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，封装为TO92。该器件具有600V的漏源极电压和1A的连续漏极电流能力，适用于高电压低电流的应用场合。其高导通电阻使其适合需要稳定性能的小功率电源控制和开关应用。
### AP01L60AT-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO92
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压（VDS）**：600V
- **栅源极电压（VGS）**：20（±V）
- **阈值电压（Vth）**：2V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：6667mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流（ID）**：1A
- **技术类型**：Plannar
### 应用领域和模块举例
AP01L60AT-VB适用于以下领域和模块，为高电压低电流需求提供可靠的解决方案：
1. **低功率开关电源**：
在低功率开关电源中，AP01L60AT-VB可用于电源转换和电压调节，适合小型电源适配器和充电器。
2. **照明控制电路**：
该器件适用于高电压低电流的照明控制电路，如LED灯的驱动和调光电路，确保照明设备的稳定运行。
3. **家电控制电路**：
AP01L60AT-VB可以在家电控制电路中使用，如微波炉、电饭煲等小功率家电的开关控制，提供高效的电力管理。
4. **传感器接口电路**：
在高电压低电流的传感器接口电路中，AP01L60AT-VB可用于信号放大和传输，确保传感器数据的稳定性和准确性。
尽管AP01L60AT-VB的导通电阻较高，但其在高电压低电流应用中的稳定性能使其成为这些领域中不可或缺的组件，提供高效和可靠的电力控制和管理。
