AM6923P-T1-PF-VB一种Dual-P+P沟道TSSOP8封装MOS管
2024-11-29
### 产品简介
**型号：AM6923P-T1-PF-VB**
AM6923P-T1-PF-VB 是一款采用 TSSOP8 封装的双 P+P- 沟道功率 MOSFET，具有高效能和低导通电阻的特点，适用于需要处理负载的应用场合。该型号的 MOSFET 使用先进的 Trench 技术制造，能够在较低的栅极驱动电压下提供优异的导通性能和可靠的开关特性。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TSSOP8
- **配置**: 双 P+P- 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -20V (负向)
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS = 4.5V
- 13mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -7.5A (负向)
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **电源开关**:
AM6923P-T1-PF-VB 可以用作电源管理开关，特别适用于需要负载开关和反向电压保护的电路。在电池管理系统、充电器和逆变器中，其负向漏极电流和低导通电阻特性非常有用。
2. **电流检测和保护**:
在电流检测和保护电路中，AM6923P-T1-PF-VB 可以作为开关器件，用于实现快速反应和有效的电路保护。其高效能和低电压降特性确保了系统在电流异常情况下的可靠运行。
3. **信号处理**:
这款 MOSFET 可以用于信号处理电路中的开关和调节功能。在音频放大器、通信设备和传感器接口中，AM6923P-T1-PF-VB 提供了稳定的信号传输和低失真的放大功能。
4. **汽车电子**:
在汽车电子系统中，AM6923P-T1-PF-VB 可以用于反向电压保护和电池管理系统。其负向漏极电流能力和高效能特性使其成为汽车电子设计的理想选择。
综上所述，AM6923P-T1-PF-VB 是一款多功能的双 P+P- 沟道功率 MOSFET，适用于多种负载开关、电流保护和信号处理应用，能够提高系统性能和稳定性。
