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AP03N70H-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-09
### 1. 产品简介
AP03N70H-VB 是一款单N沟道场效应管，采用SJ_Multi-EPI技术制造，封装形式为TO252。具有高耐压和适中的导通电阻特性，适用于高压电源管理和工业控制系统中的电流开关和控制应用。
### 2. 详细参数说明
- **包装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 700V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2400mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 3. 应用示例
AP03N70H-VB 可以在以下领域和模块中广泛应用：
- **电源管理**: 在需要高电压稳定性和电流控制的电源管理系统中，如工业用途中的高压电源单元和电机驱动器。
- **电动汽车充电设备**: 用于电动汽车充电桩中的电源开关和电流控制，确保高效能和稳定的充电过程。
- **工业控制系统**: 在工业自动化和控制系统中，用于高压电源开关和电流管理，确保设备和系统的可靠性和稳定性。
- **电池充放电控制**: 在电池管理系统中的充放电控制模块中，确保电池充电过程的安全和高效率。
这些应用示例展示了 AP03N70H-VB 在高压、高可靠性电子和电力系统中的重要作用，适合于各种需要稳定性和耐压能力的应用场景。
