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BSC057N03LS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BSC057N03LS G-VB是一款高性能单管N沟道MOSFET，封装形式为DFN8 (5x6)。该MOSFET设计用于处理高电流和低导通电阻的应用，具备30V的漏极-源极耐压、20V的栅极-源极耐压和1.7V的门槛电压。采用Trench技术，具有极低的导通电阻，适用于高效电源管理和开关控制应用。
### 参数说明
- **型号**: BSC057N03LS G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单管N沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V栅极驱动下: 5mΩ
- 10V栅极驱动下: 3mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
BSC057N03LS G-VB适用于以下领域和模块：
1. **高效电源管理**: 由于其极低的导通电阻和高电流能力，非常适合用于电源管理系统，提供高效的电源转换和分配。
2. **DC-DC转换器**: 在DC-DC转换器中作为低侧开关，减少功率损耗，提高转换效率。
3. **电动汽车**: 用于电动汽车的电池管理和电机驱动系统，提供高效的开关控制和电流处理能力。
4. **功率开关应用**: 适用于需要高电流承载和低导通电阻的高功率开关应用，如高功率放大器和开关电源。
该MOSFET的高电流能力和低导通电阻使其在高效能和高可靠性的应用环境中表现出色。
