AP92U03GMT-HF-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2024-12-20
### 产品简介：
AP92U03GMT-HF-VB是一款单通道N沟道功率MOSFET，采用先进的沟道技术制造，封装为DFN8(5X6)，适合于高功率密度和紧凑空间的应用场景。该器件具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的门极-源极电压（VGS），并且在不同的工作条件下具备低导通电阻（RDS(ON)），适用于要求高效率和高电流处理能力的电子系统。
### 参数说明：
- **型号：** AP92U03GMT-HF-VB
- **封装：** DFN8(5X6)
- **配置：** 单通道N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）：** 30V
- **VGS（门极-源极电压）：** ±20V
- **门极阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 120A
- **技术：** 沟道技术（Trench）
### 应用领域示例：
1. **电动工具和电动车辆：** AP92U03GMT-HF-VB适用于电动工具和电动车辆中的功率开关模块，如电机驱动和电池管理系统，能够提供高效能和高电流处理能力。
2. **电源模块和DC-DC转换器：** 在需要高功率密度和紧凑设计的电源模块和DC-DC转换器中，该器件可以作为关键的功率开关元件，支持电源转换的高效率和稳定性。
3. **工业自动化和机器人控制：** 在工业自动化设备和机器人控制系统中，AP92U03GMT-HF-VB能够提供稳定的功率开关功能，确保设备的高效运行和长期可靠性。
4. **消费电子产品：** 由于其小型封装和高性能特性，适用于消费电子产品如智能手机快充器、平板电脑电池管理等，提升产品的充电速度和效率。
综上所述，AP92U03GMT-HF-VB在多个领域中展示出其高效率、高性能和紧凑设计的优势，为各种功率控制和转换应用提供了可靠的解决方案。
