BUK545-200A-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-14
### 产品简介
**BUK545-200A-VB** 是一款高压 N 沟道 MOSFET，采用 TO-220 封装，具备卓越的电气性能和耐压能力。它设计用于高电压和高电流应用，特别适合需要高开关速度和低导通电阻的场合。该 MOSFET 的最大漏极源极电压为 200V，适合在高电压环境中稳定工作，同时能够处理高达 30A 的电流。其高达 20V 的栅极源极电压范围允许灵活的驱动控制。
### 详细参数说明
- **封装**：TO-220
- **配置**：单 N 沟道 MOSFET
- **漏源极电压 (V_DS)**：200V
- **栅源极电压 (V_GS)**：±20V
- **栅源极阈值电压 (V_th)**：3V
- **导通电阻 (R_DS(on))**：110mΩ（在 V_GS = 10V 时）
- **漏极电流 (I_D)**：30A
- **技术**：Trench（沟道技术）
### 应用领域及模块举例
**BUK545-200A-VB** MOSFET 具有广泛的应用领域，以下是一些具体示例：
1. **电源管理系统**：在电源管理模块中，BUK545-200A-VB 可以用作高电压开关器件，实现高效的电源转换和开关控制。由于其低导通电阻，它能够降低功率损耗，提高系统的整体效率。
2. **电动汽车**：在电动汽车的驱动系统中，该 MOSFET 可用于电池管理系统（BMS）和电动马达控制。其高电压承受能力和高电流处理能力使其成为电动汽车高压直流电机驱动的理想选择。
3. **逆变器**：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器应用中，BUK545-200A-VB 能够有效地控制直流到交流的转换过程，其高导通电流能力和高耐压特性确保了逆变器的可靠运行。
4. **高功率开关**：在需要高功率开关的应用，如电机驱动器和电源开关电路中，BUK545-200A-VB 的高电流处理能力和低导通电阻使其成为理想选择，可以有效地处理高功率负载。
