AP3403GH-VB一种Single-P沟道TO252封装MOS管
2024-12-13
### AP3403GH-VB 产品简介
AP3403GH-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用沟槽技术制造，封装在TO252包装中。它具有负向击穿电压和优异的导通特性，适用于需要负向电压和较高电流处理能力的功率管理和开关应用。
### AP3403GH-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单P沟道
- **负向击穿电压 (VDS)**：-30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 46mΩ @ VGS=4.5V
- 33mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：-38A (注意：负号表示电流为P沟道MOSFET的特性)
- **技术**：沟槽（Trench）
### AP3403GH-VB 应用领域及模块
AP3403GH-VB 在负向电压和高电流应用中具有广泛的适用性，主要用于以下领域和模块：
1. **电源逆变器**：
- 这款MOSFET适合用作电源逆变器中的关键开关元件，特别是在需要负向电压和高电流驱动的应用中，如电动汽车充电桩的负向电流控制。
2. **电动车辆充电桩**：
- 在电动车辆充电桩中，AP3403GH-VB 可以作为电源开关器件，确保充电电流的控制和稳定性，同时支持负向电压要求。
3. **电源管理系统**：
- 在需要负向电压调节和高效电源管理的工业和消费电子设备中，这款MOSFET可以稳定地管理电源输出，提高系统的效率和可靠性。
4. **电动工具和家电**：
- 在家用电器和电动工具中，AP3403GH-VB 可以作为电机驱动器的开关元件，支持负向电压驱动和高功率输出的需求。
通过其特有的负向击穿电压和稳定的导通特性，AP3403GH-VB 成为处理负向电压和高电流应用中的理想选择，为工程师提供了强大的设计支持和解决方案。
