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HM3400PR-VB一款N沟道SOT89-3封装MOSFET应用分析
2024-01-09
型号：HM3400PR
丝印：VBI1322
品牌：VBsemi
参数：N沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.9Vth(V)；SOT89-3
该产品具有以下详细参数说明：
- 类型：N沟道功率场效应管
- 最大耐压：30V
- 最大漏极电流：6.8A
- 导通时的电阻（RDS(ON)）：33mΩ@10V, 45mΩ@4.5V
- 栅极电压（Vgs）范围：±20V
- 阈值电压（Vth）：0.9V
- 封装：SOT89-3
该产品适用于以下领域模块：
- 电池管理：HM3400PR可用于电池管理模块中，实现电池的充放电控制和保护功能。
- 电源开关：适用于电源开关模块中，用于电源的控制和转换。
- 电压稳定：可用于电压稳定模块，提供稳定的输出电压和电路保护。
- 电子设备接口：适用于各种电子设备接口模块中，如数据通信、控制和保护。
综上所述，HM3400PR适用于电池管理、电源开关、电压稳定和电子设备接口等领域模块。
