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FDD5614P-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-01-06
型号：FDD5614P
丝印：VBE2610N
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：P沟道MOSFET
- 最大耐压：-60V
- 最大电流：-38A
- 导通电阻：61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：-1.3Vth
- 封装：TO252
应用简介：
FDD5614P是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制或负载开关的应用。其最大耐压为-60V，最大电流为-38A，具有低导通电阻和高性能。
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：可用于负极电源开关和正负电源控制的电路。
2. 电机驱动模块：适用于驱动小型直流电机或步进电机的控制器。
3. 转换器模块：可用于直流-直流转换器和逆变器的输出调节。
总之，FDD5614P适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计，包括电源管理、电机驱动和转换器模块等。
