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AUIRFU120Z-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2025-01-04
### 产品简介
AUIRFU120Z-VB 是一款采用 TO251 封装的单极性 N 沟道 MOSFET，具有高达 100V 的漏源电压和 12A 的连续漏电流能力。该 MOSFET 使用 Trench 技术，适用于需要中等电压和电流的开关应用。
### 参数说明
- **型号**：AUIRFU120Z-VB
- **封装**：TO251
- **配置**：单极性 N 沟道 MOSFET
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：20V (±)
- **栅源阈值电压 (Vth)**：1.5V
- **RDS(ON)**：200mΩ (VGS = 10V)
- **漏电流 (ID)**：12A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块
AUIRFU120Z-VB 的特性使其适用于中等电压和电流的开关应用。例如，在家电电源管理中，它可以控制中功率负载，保证稳定性；在汽车电子设备中，它能够处理电机控制和电源开关任务；在小型电源转换器中，它能有效管理电流，提供可靠的性能。
