公司动态详情返回动态列表>
SI6913DQ-T1-GE3-VB一款2个P沟道TSSOP8封装MOSFET应用分析
2024-01-10
型号：SI6913DQ-T1-GE3-VB
丝印：VBC6P3033
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-30V
- 额定电流：-5.2A
- 导通电阻：33mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
- 门源极电压范围：±20V
- 阈值电压：1~3V
- 封装类型：TSSOP8
应用简介：
SI6913DQ-T1-GE3-VB是一款P沟道功率MOSFET，适用于各种电路模块中的功率开关和电路控制应用。由于其低导通电阻和低阈值电压，使其特别适用于需要在低电压和高电流条件下工作的应用。
具体应用领域模块如下：
1. 电源模块：SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电源模块中的功率开关，用于控制电源的开关和调节功率的大小。
2. 电动工具模块：在电动工具中，SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电机驱动器，控制电动工具的功率输出和运行状态。
3. LED照明模块：SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作LED照明模块中的开关器，控制LED的亮度和开关。
4. 电动车辆模块：在电动车辆中，SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电机驱动器，控制电动车辆的动力输出和控制。
5. 手持设备模块：在手持设备中，SI6913DQ-T1-GE3-VB可以用作电源管理模块，控制电池的供电和功耗管理。
总之，SI6913DQ-T1-GE3-VB适用于各种需要功率开关和电路控制的应用中，特别适用于低电压和高电流条件下的模块。
