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### B80NF55-08-VB MOSFET 产品简介

B80NF55-08-VB 是一款高性能单N通道MOSFET，封装在TO-263外壳中。该MOSFET设计用于需要高电流和高效率的应用场合。它的最大漏极-源极电压（VDS）为60V，栅极-源极电压（VGS）容差为±20V。具有较高的阈值电压（Vth），为3V，这使得该MOSFET在低栅极电压下仍能可靠启动。B80NF55-08-VB 的导通电阻（RDS(ON)）在VGS = 10V 时为4mΩ，提供了极低的功耗。其连续漏极电流（ID）高达150A，适合处理大电流需求。该MOSFET采用先进的沟槽技术，提高了其开关性能和总体能效。

B80NF55-08-VB.pdf

### B80NF55-08-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型:** TO-263

- **配置:** 单N通道

- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 60V

- **最大栅极-源极电压 (VGS):** ±20V

- **阈值电压 (Vth):** 3V

- **导通电阻 (RDS(ON)):**

  - VGS = 10V 时为 4mΩ

- **连续漏极电流 (ID):** 150A

- **技术:** 沟槽技术

### B80NF55-08-VB MOSFET 的应用领域

B80NF55-08-VB MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其在多个领域表现出色。例如，在电力转换系统中，该MOSFET 可以用于高效能的电源开关，处理大电流同时保持低能量损耗。在电动汽车领域，它可以作为电机控制器中的开关元件，确保高效和稳定的电流供应。在工业应用中，B80NF55-08-VB 适用于高功率电源和电机驱动系统，能够处理高电流负荷并减少系统的能量损失。该MOSFET 还可用于高功率LED驱动器和其他高效能电子设备中，提升设备的整体性能和能效。