BSZ16DN25NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### 产品简介
**BSZ16DN25NS3** 是一款单极N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），封装形式为DFN8(3X3)。它采用了沟槽（Trench）技术，具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，专为高电压、高功率应用设计。该MOSFET广泛应用于电源管理、开关电路及其他需要高电压和高电流处理的场景。
### 详细参数说明
- **型号**: BSZ16DN25NS3
- **封装**: DFN8(3X3)
- **配置**: 单极N沟道（Single-N-Channel）
- **漏极-源极耐压（V_DS）**: 250V
- **栅极-源极耐压（V_GS）**: ±20V
- **阈值电压（V_th）**: 3.5V
- **导通电阻（R_DS(ON)）**: 125mΩ（在V_GS = 10V时）
- **漏极电流（I_D）**: 10.3A
- **技术**: 沟槽（Trench）
### 应用领域及模块示例
**1. 高压电源管理：**
BSZ16DN25NS3 具有高达250V的漏极-源极耐压，使其非常适合用于高压电源管理系统。这款MOSFET可以在高电压环境下稳定工作，广泛应用于AC-DC转换器、DC-DC转换器和电源开关模块。
**2. 工业设备：**
在工业设备中，如电机驱动系统和电源保护电路，BSZ16DN25NS3 提供可靠的高电压开关能力。它能够在高功率条件下高效工作，确保设备的稳定性和安全性。
**3. 电池管理系统：**
这款MOSFET 在电池管理系统中用于高电压应用时，能够提供可靠的开关性能和过流保护。例如，它可以用于电池充电和放电控制，确保电池在高电压环境下的安全和有效操作。
**4. 逆变器和变换器：**
在逆变器和变换器模块中，BSZ16DN25NS3 的高耐压和低导通电阻特性使其成为理想选择。它能够有效地管理和转换电力，保证系统的高效运行。
**5. 汽车电子系统：**
在汽车电子系统中，这款MOSFET 适用于高电压的开关和保护应用，如电池保护和高压负载开关。它的高电压处理能力和稳定性使其适合于汽车环境中的苛刻条件。
BSZ16DN25NS3 的这些应用示例展示了其在不同领域中的广泛适用性，特别是在高电压和高功率环境中表现优异。
