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BSC050NE2LS-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
**产品简介：**
BSC050NE2LS-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)，专为中低电压、大电流应用设计。其 VDS（漏极-源极最大电压）为 30V，最大栅源极电压 VGS 为 ±20V，漏极电流 ID 达 120A。该 MOSFET 采用沟槽型工艺技术，具有低导通电阻（RDS(ON) 为 5mΩ 在 VGS=4.5V 时，3mΩ 在 VGS=10V 时），适用于需要高效率和高可靠性的开关电路。
**详细参数说明：**
- **封装**: DFN8(5x6)
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**: 30V
- **栅源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 5mΩ @ VGS = 4.5V；3mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 120A
- **技术**: 沟槽型工艺
**应用领域和模块示例：**
1. **高效电源转换**：在高效的 DC-DC 转换器和电源管理系统中，BSC050NE2LS-VB 的低 RDS(ON) 可以减少功耗，提高系统效率，适合用于高电流的电源设计。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块中，该 MOSFET 能处理大电流负载，保证电动汽车系统的稳定性和性能。
3. **工业电机驱动**：用于工业电机驱动控制和高功率开关系统中，BSC050NE2LS-VB 的高电流能力和低导通电阻使其适合用于要求高负载和高效能的应用。
