AP2609GYT-HF-VB一种Single-P沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2024-12-12
### 一、产品简介
AP2609GYT-HF-VB是一款单P沟道MOSFET，采用DFN8(3X3)紧凑封装。它具备负漏源电压和优秀的导通特性，适用于需要高效电力控制和保护的应用场景。这款MOSFET设计精良，能够提供可靠的开关性能和稳定的电流控制，适合于便携式电子设备和低功耗应用。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**: DFN8(3X3)
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -12V
- **栅源电压 (VGS)**: ±8V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 21mΩ @ VGS = 2.5V
- 15mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**: -25A
- **技术类型**: Trench
### 三、适用领域和模块举例
1. **便携式电子设备**：由于AP2609GYT-HF-VB封装紧凑且具有良好的功率管理特性，适合于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和便携式音频设备。其低导通电阻和高效能力可以提高电池寿命和设备运行时间。
2. **电池保护电路**：在电池管理系统中，这款MOSFET可以用作电池保护和充放电控制器。其快速响应和低功耗特性有助于保护电池免受过电流和过压的损害，延长电池使用寿命。
3. **功率开关控制**：AP2609GYT-HF-VB适用于各种功率开关控制应用，如电源开关、DC-DC转换器和充电器。其高电流承受能力和稳定的电气特性能够确保设备在高负载和不稳定电源条件下的可靠运行。
4. **低压断路器**：这款MOSFET可以用于低压断路器的开关控制电路，保护电路免受电流过载和短路的损害。其高电流和低导通电阻特性使其成为断路器系统的理想选择。
通过其紧凑的封装和优越的电气性能，AP2609GYT-HF-VB适合于需要高效电力控制和稳定性的多种便携式和低功耗电子设备应用。
