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B20NM50-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**B20NM50-VB** 是一款单极N沟道MOSFET，封装形式为TO263。该器件采用SJ_Multi-EPI技术，具备高耐压和相对较低的导通电阻，适合高电压和高功率应用。这款MOSFET提供可靠的高电压开关性能，适用于各种电力电子和能源管理系统。
### 参数说明
- **型号**：B20NM50-VB
- **封装**：TO263
- **配置**：单极N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：650V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**：20A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块
**B20NM50-VB** MOSFET 在以下领域和模块中表现优异：
1. **高压开关电源**：适合用于高压开关电源中，能够处理高电压负载，同时保持较低的导通电阻，提升电源效率和稳定性。
2. **逆变器**：在逆变器应用中，这款MOSFET 能够承受高电压，提供稳定的电力转换性能，适用于太阳能和风能逆变器。
3. **工业电源管理**：用于高电压电源管理系统，能够在高电压环境下提供可靠的开关功能，确保系统的稳定性和性能。
4. **电机驱动系统**：在高电压电机驱动应用中，B20NM50-VB 可以提供有效的电力开关管理，支持高电压下的电机高效运行。
5. **电力转换设备**：适用于各种高功率电力转换设备，能处理高电压负载，保证设备的可靠性和高效性。
