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BSS138DW-VB一种Dual-N+N沟道SC70-6封装MOS管
2025-01-09
### 产品简介
BSS138DW-VB 是一款双通道 N 沟道 MOSFET，封装为 SC70-6，设计用于低电流开关和信号处理应用。其具备 60V 的漏极-源极耐压、±20V 的栅极-源极耐压和 1.7V 的栅极阈值电压。该 MOSFET 在 4.5V 的栅极驱动电压下，导通电阻为 3200mΩ，在 10V 的栅极驱动电压下为 2500mΩ。最大漏极电流为 0.3A，采用 Trench 技术，适用于低功耗和小型电子设备。
### 参数说明
- **型号**: BSS138DW-VB
- **封装**: SC70-6
- **配置**: 双通道 N 沟道 MOSFET（N+N）
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3200mΩ @ VGS = 4.5V
- 2500mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域
BSS138DW-VB 适用于以下领域和模块：
- **低电流开关**: 在低电流开关应用中控制信号或小功率负载，适合移动设备和便携式电子产品。
- **信号处理**: 用于信号开关和小功率负载控制，确保高效和稳定的信号处理。
- **开关电源**: 在开关电源电路中作为开关元件，处理小功率和低电流的应用。
- **消费电子**: 适用于低功耗消费电子产品中的开关控制，如智能手表、传感器和小型家电。
