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BSC016N03MS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
**1. 产品简介：**
BSC016N03MS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 DFN8(5x6)。它采用了 Trench 技术，具有极低的导通电阻和高电流承载能力，适用于要求高效能和高密度的电子应用。
**2. 详细参数说明：**
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单极性 N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2.5mΩ（在 VGS=4.5V 时）
- 1.8mΩ（在 VGS=10V 时）
- **漏极电流 (ID)**: 160A
- **技术**: Trench
**3. 应用领域举例：**
BSC016N03MS G-VB 适用于高电流开关电源、DC-DC 转换器、功率管理模块、电机驱动、LED 驱动和高效能电源管理系统。其超低导通电阻使其在高频和高效能要求的应用中表现优异，能够显著提升系统的整体效率和可靠性。
