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AOTF9N50-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2024-12-09
### AOTF9N50-VB 产品简介
AOTF9N50-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，封装为TO220F。具备650V的漏源极电压和10A的连续漏极电流能力，适用于对高电压和中等电流要求的低功率应用场合。
### AOTF9N50-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO220F
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压（VDS）**：650V
- **栅源极电压（VGS）**：30（±V）
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 830mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流（ID）**：10A
- **技术类型**：Plannar
### 应用领域和模块举例
AOTF9N50-VB适用于以下领域和模块，为高电压和中等电流需求提供稳定的电力管理解决方案：
1. **电源逆变器**：
在低功率的电源逆变器中，AOTF9N50-VB可以作为主要的开关管件，实现从直流电到交流电的转换，适用于家用电器和小型电力系统。
2. **电动工具**：
在需要高电压驱动的电动工具中，如电动锯、电动钻等，AOTF9N50-VB可以作为电机控制和功率开关，确保工具在高电压环境下的稳定运行。
3. **电动车充电器**：
在电动车充电器的电源管理和控制电路中，AOTF9N50-VB可以用作电池充电和功率分配的关键部件，确保充电效率和电池寿命。
尽管AOTF9N50-VB的导通电阻相对较高，但其在高电压、中等电流要求的低功率应用中表现出色，为这些应用提供了稳定和可靠的电力转换和管理功能。
