### 产品简介

**型号**: B414-VB  

**封装**: TO263  

**配置**: 单极性N沟道MOSFET  

**耐压**: 100V  

**门源电压**: ±20V  

**阈值电压**: 1.8V  

**导通电阻**: 20mΩ @ V_GS = 10V  

**最大漏电流**: 70A  

**技术**: 沟槽型

B414-VB.pdf

### 详细参数说明

- **型号**: B414-VB  

- **封装类型**: TO263  

- **配置**: 单N沟道MOSFET  

- **漏极-源极耐压 (V_DS)**: 100V  

- **栅极-源极最大电压 (V_GS)**: ±20V  

- **阈值电压 (V_th)**: 1.8V  

- **导通电阻 (R_DS(ON))**: 20mΩ @ V_GS = 10V  

- **最大漏电流 (I_D)**: 70A  

- **技术类型**: 沟槽型技术

### 应用领域与模块示例

1. **高压电源转换器**  

   B414-VB 的高耐压和适中导通电阻使其适用于高压电源转换器中，能够有效处理高电压和大电流，提升电源系统的效率和稳定性。

2. **电动汽车充电器**  

   在电动汽车充电器中，该MOSFET 可提供可靠的功率开关功能，处理高电压和高电流，确保充电过程的安全和高效。

3. **工业电机驱动**  

   B414-VB 的高电流能力和稳定的性能使其适合用于工业电机驱动系统中，提供可靠的开关性能和电流控制，支持电机的高效运行。

4. **大功率LED驱动**  

   该MOSFET 适用于大功率LED驱动系统，能够处理较高电流负载，并确保LED的高效能和长寿命，广泛应用于高亮度照明系统。