公司动态详情返回动态列表>
AP4563GH-VB一款N+P沟道TO252-5封装MOSFET应用分析
2024-01-06
型号：AP4563GH
丝印：VBE5415
品牌：VBsemi
详细参数说明：
- 类型：N+P沟道MOSFET
- 最大耐压：±40V
- 最大电流：50A/-50A
- 导通电阻：15mΩ @10V, 18.75mΩ @4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：±1Vth
- 封装：TO252-5
应用简介：
AP4563GH是一款N+P沟道MOSFET，适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为±40V，最大电流为50A/-50A，具有低导通电阻和高性能。
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于负责电流控制和功率开关的电源管理模块。
2. 电机驱动模块：可用于驱动大功率电机，如电动汽车和工业机械中的驱动电路。
3. 逆变器模块：适用于太阳能逆变器和UPS系统等高功率逆变器。
总之，AP4563GH适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、电机驱动和逆变器模块等。
