AON4413-VB一种Single-P沟道DFN8(3X2)-B封装MOS管
2024-12-05
### 一、AON4413-VB 产品简介
AON4413-VB是一款单P沟道MOSFET，采用Trench技术，封装为DFN8(3X2)-B封装。它具有负漏源电压能力，适用于低压和中电流的功率开关和控制应用。AON4413-VB在小尺寸封装中提供了良好的热管理和高效能的电气特性，适合于负载开关、电池保护和低功率电源管理需求。
### 二、AON4413-VB 详细参数说明
- **封装类型**: DFN8(3X2)-B
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -5.1A
- **技术类型**: Trench
### 三、AON4413-VB 适用领域和模块
1. **电池保护和反向电流保护**:
- AON4413-VB的负漏源电压特性使其非常适合用于电池保护电路，特别是在需要防止电池放电或逆向电流的应用中，如便携式电子设备和电池管理系统。
2. **负载开关和开关电源**:
- 在负载开关和开关电源中，AON4413-VB可以作为电路的主要开关，用于控制电流通断，同时通过低导通电阻和高效能的特性提升电路效率。
3. **汽车电子和电动车辆**:
- 在汽车电子和电动车辆中，AON4413-VB可以用于电动马达驱动、DC-DC转换器和电池管理系统，支持车辆电源管理和效率优化。
4. **便携式电子产品**:
- 由于其小型封装和适应低功率电源需求的能力，AON4413-VB非常适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和便携式电源。
AON4413-VB以其负漏源电压能力和优秀的电气特性，在多种电源管理和功率控制应用中展示了广泛的应用前景和高效的性能表现。
