BUK6507-55C-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-15
### 产品简介
BUK6507-55C-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO220封装。它利用先进的沟槽技术，提供了极低的导通电阻和高电流处理能力。这款器件适用于需要高效率和高电流的各种应用，如电源管理和高功率开关。
### 详细参数说明
- **型号**：BUK6507-55C-VB
- **封装**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：5mΩ（VGS = 10V）
- **漏极电流 (ID)**：120A
- **技术**：沟槽技术
### 适用领域和模块举例
1. **电动汽车**：BUK6507-55C-VB 非常适合用于电动汽车的电池管理系统和电机驱动控制。其高电流处理能力和低导通电阻确保了在高负载情况下的高效能和稳定性，有助于提升车辆的性能和电池寿命。
2. **高功率电源管理**：在高功率电源管理系统中，如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器，该MOSFET 的低导通电阻可以显著减少能量损耗，提高整体电源效率，确保设备在高负载情况下稳定运行。
3. **工业控制**：BUK6507-55C-VB 适用于工业控制系统中的电机控制和负载开关。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够在苛刻的工业环境中提供可靠的性能，确保系统的高效运行。
4. **不间断电源（UPS）**：在UPS系统中，这款MOSFET 可以有效地管理电力转换和负载切换，保证系统在断电情况下能够稳定供电。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为确保UPS系统高可靠性和高效率的理想选择。
BUK6507-55C-VB 的卓越电气性能和高电流能力使其在各种高要求应用中表现出色，为现代电子设备提供了高效、可靠的解决方案。
