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AOD2N60-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2024-12-04
### 一、AOD2N60-VB 产品简介
AOD2N60-VB是一款单N沟道MOSFET，设计用于高压应用，具有650V的漏极-源极电压（VDS）额定值。该器件采用Plannar技术制造，封装为TO252，适合于需要在高压环境下进行功率开关和电压调节的应用场合。
### 二、AOD2N60-VB 详细参数说明
- **封装形式**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：650V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 3440mΩ @ VGS=4.5V
- 4300mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流（ID）**：2A
- **技术**：Plannar
### 三、适用领域和模块示例
AOD2N60-VB适用于以下领域和模块：
1. **电源逆变器**：
在高压逆变器中，AOD2N60-VB可以作为主要的开关管，用于将直流电源转换为交流电源，如太阳能逆变器和电动汽车充电设备。
2. **电力电子**：
在需要处理高压和大电流的电力电子设备中，例如电力传输和电力分配系统中的开关电源和电动机驱动器。
3. **工业自动化**：
用于工业控制系统中的功率开关和驱动器，确保设备的高效能和稳定性。
总之，AOD2N60-VB适合于需要处理高压和大电流的应用场合，能够提供可靠的功率开关和电压调节解决方案。
