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BSP75N-VB一种Single-N沟道SOT223封装MOS管
2025-01-09
**1. 产品简介：**
BSP75N-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 SOT223。采用 Trench 技术，提供可靠的开关性能和适中的导通电阻，适合用于中等功率和电流的电子应用。
**2. 详细参数说明：**
- **封装**: SOT223
- **配置**: 单极性 N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ（在 VGS=4.5V 时）
- 76mΩ（在 VGS=10V 时）
- **漏极电流 (ID)**: 4.5A
- **技术**: Trench
**3. 应用领域举例：**
BSP75N-VB 适用于中等功率的开关和电源管理应用，如 DC-DC 转换器、功率开关、电机驱动、LED 驱动电路和低功耗电源系统。其适中的导通电阻和较高的电压承受能力使其在要求较高电流和电压的应用中提供稳定的性能，特别适合用于电源保护和开关控制。
