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CED12N10-VB一款N沟道TO251封装MOSFET应用分析
2024-01-08
CED12N10详细参数说明：
- 极性：N沟道
- 额定电压：100V
- 额定电流：15A
- 导通电阻：115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 阈值电压：1.41Vth (V)
- 封装类型：TO251
应用简介：
CED12N10是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有较高的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。
通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。
CED12N10采用TO251封装，适用于各种电路板和模块中使用。
该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。具有较高的额定电压和额定电流，CED12N10特别适用于需要高功率和高电流传输的领域，如电源开关和功率放大器。
总之，CED12N10是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块中，特别适用于需要高功率和高电流传输的领域，如电源开关和功率放大器。
