AP4513GH-A-VB一种Common Drain-N+P沟道TO252-4L封装MOS管
2024-12-16
### 产品简介
AP4513GH-A-VB是一款双N+P沟道MOSFET，采用TO252-4L封装。它结合了常开式放大器（Common Drain）配置，适合需要高电压承受能力和双沟道功能的应用场合。
### 详细参数说明
- **封装形式**：TO252-4L
- **配置**：双N+P沟道，常开式放大器
- **漏源电压 (VDS)**：±60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：
- N沟道：1.8V
- P沟道：-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- N沟道：
- 33mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- P沟道：
- 60mΩ @ VGS = 4.5V
- 50mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：
- N沟道：35A
- P沟道：-19A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块举例
1. **功率放大器**：
AP4513GH-A-VB的常开式放大器配置使其特别适合用作功率放大器的输出级驱动器。在音频放大器和RF功率放大器中，它能提供高电压和高效率的性能。
2. **电源管理**：
在工业电源系统和电源管理单元中，该器件可以用于开关电源和DC-DC转换器，支持高电压和大电流的要求。
3. **电动工具**：
在电动工具的电机驱动电路中，AP4513GH-A-VB能够处理电动工具的高功率输出需求，例如电动锤、电动钻等工具的电源驱动。
4. **电动汽车充电器**：
作为电动车充电器中的关键部件，能够承受高电压和大电流，保证电动汽车的快速充电和高效能。
AP4513GH-A-VB由于其双N+P沟道设计和常开式放大器配置，适用于需要高电压、大电流和高效率的电子设备和系统。无论是在功率放大器、电源管理、电动工具还是电动汽车充电器中，它都能发挥出色的性能，满足复杂电子系统的需求。
