AM90N20-40P-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2024-12-02
### 产品简介
AM90N20-40P-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，具备较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻。该器件封装在TO220封装中，适合需要处理较高电压和中等电流要求的电子应用环境。AM90N20-40P-VB 在200V的漏极-源极电压（VDS）下稳定工作，提供可靠的性能和功率处理能力。
### 详细参数说明
- **型号**: AM90N20-40P-VB
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 200V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 4V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 17mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术类型**: 沟槽
### 应用领域和模块举例
AM90N20-40P-VB MOSFET适用于多种高电压和中功率的电子应用，具体包括但不限于：
1. **电源逆变器和开关电源**：在工业和电力电子领域中，AM90N20-40P-VB可用于高压DC-DC转换器、逆变器和开关电源，提供稳定的电力转换和高效的电源管理。
2. **电动车充电器**：在电动汽车充电器和电池管理系统中，AM90N20-40P-VB可用于高压和高功率的电源管理模块，确保快速、安全的充电过程。
3. **工业自动化设备**：用于工厂自动化设备中的高压电源管理、马达控制和高功率负载开关，保证设备稳定运行和高效能的生产。
4. **电力电子**：在电力电子设备中的高压逆变器、直流传输系统和电动机控制中，AM90N20-40P-VB提供了稳定和可靠的电力传输和控制。
通过以上举例，AM90N20-40P-VB MOSFET因其高电压承受能力、适中的导通电阻和先进的沟槽技术，适用于多种对高电压、高功率密度和可靠性要求高的电子设备和系统中，为工程设计提供了重要的解决方案。
