AOI403-VB一种Single-P沟道TO251封装MOS管
2024-12-05
### AOI403-VB 产品简介
AOI403-VB是一款单P沟道功率MOSFET,采用TO251封装。它采用先进的Trench技术,具备低导通电阻和高电流处理能力,适合在负电压环境下提供稳定的电流开关和高效的能量转换。
### AOI403-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO251
- **晶体管配置**: 单P沟道
- **漏源极耐压 (VDS)**: -30V (负数表示P沟道器件的导通方向为漏极到源极)
- **栅源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 10.8mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **最大漏源极电流 (ID)**: -70A (负值表示电流流向为漏极到源极)
- **技术**: Trench
### AOI403-VB 应用领域和模块
AOI403-VB适用于多种需要负电压控制和高功率开关的应用场合,以下是几个典型的应用示例:
1. **电源逆变器**: 在直流-交流逆变器中,AOI403-VB可用作功率开关器件,用于高效地将直流电源转换为交流输出,适用于太阳能逆变器和电动车充电器等领域。
2. **电动车电池管理**: 在电动车电池管理系统中,该MOSFET可以作为关键的电流控制开关,用于电池充放电管理和保护,确保电池的安全性和长寿命。
3. **电源模块**: 在高性能电源模块中,AOI403-VB能够提供稳定的负电压开关和高效的能量转换,适用于通信设备、工业自动化和医疗设备等领域。
4. **汽车电子**: 在车载电子系统中,如车载DC-DC转换器和电动机控制单元,该MOSFET可用于处理负电压的功率开关需求,保证汽车电子系统的性能和可靠性。
5. **电源管理**: 在工业控制设备和电源管理系统中,AOI403-VB可以用于高效的电源开关和电流控制,确保设备的稳定运行和节能效果。
综上所述,AOI403-VB因其负电压控制能力、低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种负电压和高功率应用场合,特别是需要稳定性能和高效能量转换的电子设备和系统。