AP5521GM-HF-VB一种Dual-N+P沟道SOP8封装MOS管
2024-12-17
### 一、产品简介
**AP5521GM-HF-VB** 是一款高性能的双极性（Dual-N+P-Channel）MOSFET，采用SOP8封装。它采用先进的沟槽（Trench）技术，具有高击穿电压和低导通电阻，适用于各种高电压应用。
### 二、详细参数说明
1. **封装形式**：SOP8
2. **配置**：Dual-N+P-Channel
3. **击穿电压（VDS）**：±100V
4. **栅极电压（VGS）**：±20V
5. **阈值电压（Vth）**：±2V
6. **导通电阻（RDS(ON)）**：
- @VGS = 4.5V：260mΩ（N-Channel），530mΩ（P-Channel）
- @VGS = 10V：240mΩ（N-Channel），490mΩ（P-Channel）
7. **漏极电流（ID）**：2.2A（N-Channel），-1.9A（P-Channel）
8. **技术**：Trench
### 三、应用领域和模块示例
**AP5521GM-HF-VB** MOSFET 由于其高击穿电压和双极性设计，适用于以下领域和模块：
1. **电源管理系统（Power Management Systems）**：
- 在电源管理系统中，尤其是需要高电压和高效率的应用，如开关电源和稳压器，作为主要开关元件提供高效能和可靠性。
2. **工业控制（Industrial Control）**：
- 用于工业控制系统中的高压控制模块，例如电机驱动器和PLC（可编程逻辑控制器），提升系统的稳定性和控制精度。
3. **汽车电子（Automotive Electronics）**：
- 在汽车电子系统中，如电动汽车的电池管理系统和车身控制模块，用于高电压电路的功率开关和电流控制，确保系统的高效和可靠运行。
4. **便携式设备（Portable Devices）**：
- 在便携式电子设备中，作为电池管理和功率控制的关键组件，支持高压和高效率的电能转换。
5. **太阳能逆变器（Solar Inverters）**：
- 用于太阳能发电系统中的逆变器模块，提供高效的直流到交流转换，提高能源利用效率。
**AP5521GM-HF-VB** MOSFET 的设计使其非常适合于需要高电压和高效能的应用，为工程师提供了一种灵活且可靠的功率管理解决方案。
